Memória 3G une gigantes

Três dos maiores fabricantes de electrónica do Japão vão melhorar a memória dos terminais UMTS.

As três gigantes japonesas vão iniciar a produção de partes da memória, baseada nessa especificação, em Março de 2005, segundo um comunicado conjunto divulgado pelas três companhias.

A especificação PSRAM (pseudo static random access memory), que é semelhante a memória SRAM (static RAM) e tem um estrutura semelhante ao DRAM (dynamic RAM), trabalha mais rápido e consome menos energia do que outros tipos de memória em terminais móveis.

A PSRAM também permite velocidades mais altas para a transferência de dados e ajuda os responsáveis pelo desenvolvimento a incluir mais funcionalidades nos telemóveis 3G.